Samsung planea un chip NAND de 400 capas récord que podría ser clave para romper la barrera de los 200 TB para los SSDs ultra grandes de capacidad de IA hyperscaler.

Samsung está trabajando para lanzar un chip flash NAND vertical de 400 capas récord para 2026, según han afirmado informes.
Un reporte del Korea Economic Daily dice que la división Device Solutions (DS) de Samsung tiene como objetivo avanzar en el mercado de NAND flash con su avanzado NAND V10, diseñado para satisfacer la creciente demanda en los centros de datos de inteligencia artificial.

El diseño BV NAND, que presume un aumento del 1,6 veces en la densidad de bits por área unitaria, soporta unidades de estado sólido (SSDs) de ultra alta capacidad ideales para aplicaciones de IA.
Los actuales chips V9 NAND de 286 capas de Samsung marcaron un hito significativo, pero se espera que el V10 de 400 capas redefine los límites de capacidad, potencialmente rompiendo el umbral de almacenamiento de 200TB para SSDs hiperescalares de IA ultragrandes, a la vez que mejora la eficiencia energética.

Para futuros lanzamientos, el fabricante de chips de memoria más grande del mundo planea presentar el V11 NAND de 11a generación en 2027 con una velocidad de transferencia de datos un 50% más rápida, optimizando aún más el rendimiento para las necesidades de almacenamiento de datos de alta demanda.

El ambicioso roadmap de NAND de Samsung se extiende aún más, con planes para chips que superen las 1.000 capas para 2030, informa KED. Este avance tiene como objetivo mantener a Samsung a la vanguardia del mercado de NAND de alta capacidad, donde la demanda es impulsada por aplicaciones de IA que requieren soluciones de almacenamiento expansivas para procesar grandes volúmenes de datos.

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