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TSMC ha logrado resultados mejores de lo esperado en la producción de prueba de su tecnología de chip de 2 nanómetros, con tasas de rendimiento superiores al 60%, según fuentes de la cadena de suministro taiwanesa (a través de Liberty Times Net). La noticia sugiere que la compañía está bien posicionada para comenzar la producción en masa de 2nm en 2025, lo que podría ver su uso en los modelos iPhone 18 Pro de Apple al año siguiente.
El fabricante de semiconductores está reportadamente llevando a cabo una producción de prueba de riesgo en su instalación de Baoshan en Hsinchu, al norte de Taiwán, donde ha implementado una nueva arquitectura de nanoplacas que promete un avance significativo sobre el proceso FinFET de 3nm actual. Según el informe, la compañía planea transferir esta experiencia de producción a su planta de Kaohsiung para fabricación en masa.
El progreso de TSMC es prometedor para Apple, con un informe de septiembre del analista Ming-Chi Kuo y un rumor más reciente que afirma que los modelos iPhone 18 Pro de 2026 contarán exclusivamente con chips construidos en el proceso de 2nm de TSMC y 12GB de RAM. Se espera que los modelos estándar de iPhone 18 continúen utilizando un proceso de 3nm mejorado debido a consideraciones de costos.
Se dice que el proceso de 2nm está generando un interés sustancial de posibles clientes, particularmente en el sector de la IA. De hecho, el CEO de la compañía, C.C. Wei, ha señalado una demanda inesperadamente alta para la próxima tecnología de 2nm, sugiriendo que la producción a escala se acelerará en cuanto sea posible para satisfacer esa demanda.
La hoja de ruta de TSMC incluye la introducción en 2026 de un proceso A16 (clase de 1.6nm, no debe confundirse con la nomenclatura de chips de Apple), que combinará la arquitectura Super Power Rail (SPR) con transistores de nanoplacas. Se espera que SPR proporcione un aumento del 8% al 10% en el rendimiento con el mismo voltaje y complejidad, una disminución del 15% al 20% en la demanda de energía con la misma frecuencia y cantidad de transistores, y un aumento del 7% al 10% en la densidad del chip, dependiendo del diseño.
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